窒化アルミニウム

製品コンセプト

「光電融合技術」「高周波対応」「ハイパワー電源」「高出力LD・LED」など、半導体デバイスの高出力化・高密度化が急速に進んでいます。これに伴い、デバイスの信頼性確保には「高放熱」「低熱膨張」「長期安定性」を同時に実現することが不可欠な課題となっています。

NTKセラミックでは、これらの高度な要求に応えるソリューションとして、優れた熱特性を持つ「窒化アルミニウム(AlN)セラミック積層パッケージ」を開発しました。独自の材料技術と積層構造により、過酷な環境下でも次世代半導体デバイスの安定稼働と長寿命化を支えます。

試作例

窒化アルミニウム

薄膜回路基板 (サイズ 50㎜)

窒化アルミニウム

LCC(形状SMD0.2サイズ)

窒化アルミニウム

DIP(サイズ 40x15x2.3mmt)

窒化アルミニウム

大型基板(サイズ Φ300㎜)

特徴

  • アルミナを大きく上回る高い放熱性:170W/mK
  • Siに近い熱膨張係数: 4.9 (10-6/K)
  • 高信頼・高出力デバイス向けの安定基板
  • キャビティ形状可能

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