開発品/新技術

新規回路形成工法

製品コンセプト

半導体パッケージでは、高密度化・高周波化・高性能化の進展により、従来の印刷工法では対応できない微細配線・高精度配線が求められています。
NTKセラミックは、アルミナセラミックパッケージの内部配線において、従来工法の限界を超える「新規回路形成工法」を開発。
微細でありながら、安定した配線形状と高い再現性を実現しました。

拡大写真

新規回路形成工法

従来の印刷工法との比較

新規回路形成工法

配線の断面形状比較

新規回路形成工法

25°傾けて撮影

新規回路形成工法

ランド径Φ50μm

構造

新規回路形成工法

特徴

ウルトラファイン配線技術で超高密度配線を採用することで、高性能な半導体検査用パッケージや産業向けパッケージなど、様々な用途で使用できるようになります。

  • シグナル層 L/S=20/20μm 配線
  • 電源GND層 25μmブリッジ
  • シート抵抗 6mΩ□ (50μm配線)
  • 特性インピーダンス50±2Ω

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